基本参数：

• 封装尺寸：25x25x12.7mm，金属气密封装，DIP直插式
• 频率范围：5MHz~200MHzMHz
• 温度稳定度：≤±5ppb（‑40℃~+85℃宽温区间）
• 日老化率：≤±1ppb；年老化优于 ±0.1ppm

• 供电电压：3.3V / 5.0V 可选

• 输出波形：正弦波 / CMOS 电平可选；自带 EFC 压控微调

• 工作温度：‑40℃ ~ +85℃工业宽温

• 秒稳（阿伦方差）：可达 9.06E‑14/1s

• 相位噪声：‑123.5dBc/Hz@1Hz，近端相噪性能优异
  

产品优势：

• 超低相位噪声，近端噪声表现优异，相位抖动极低，信号纯净度高，适配射频、微波系统

• 内置恒温槽，晶片工作温度恒定，环境温度波动几乎不影响输出频率，高稳时频基准

• 气密性金属封装，抗震抗冲击，环境适应性强，可靠性高
  

• 长期漂移小，老化性能优秀，长时间工作频率偏差低，守时能力强

• 电压、负载变化引起的频漂极小

• 支持电压微调 (EFC)，可外接环路完成锁相驯服，适配 GPS‑DO 等守时模块

• 相比小型OCXO，相噪、短期稳定度指标更高
  

晶振应用：射频微波通信、雷达、基站、频谱分析仪、计量测试仪器、时频参考源、电力同步时钟、卫星地面站、高精度导航设备等